高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究

作者：付雪涛; 马通达; 王书明; 张崇宏; 张丽卿; 王新强

来源：稀有金属, 2012, (03): 450-454.

• 氮化镓异质结
• 应变弛豫
• 电子辐照
• 弹性原子链模型 GaN heterostructure
• strain relaxation
• electron irradiation
• elastic atom-chain model

利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(10ī2)高分辨X射线衍射峰分别向高角和低角发生移动,表明电子辐照使GaN外延层发生了部分应变弛豫。利用电子背散射衍射(EBSD)对应变弛豫进行了表征。EBSD结果显示,剂量为5×1015/cm2的电子辐照相对于1×1015/cm2的电子辐照可诱导GaN外延层发生更为显著的应变弛豫。卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)实验结果表明,5×1015/cm2的...

• 出版日期2012
• 单位中国科学院近代物理研究所; 北京有色金属研究总院