氨气流量对富硅氮化硅薄膜键态的分析

作者：部芯芯; 周炳卿; 乌仁图雅; 高爱明; 丁德松

来源：信息记录材料, 2016, (01): 47-49.

DOI：10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2016.01.011

• 富硅氮化硅薄膜
• 化学气相沉积
• 键合结构 Silicon-rich nitride thin film
• Plasma enhanced chemical vapor deposition
• Bonding structure

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低压力的条件下,以Si H4、NH3和H2为反应气体,通过改变氨气流量来研究富硅氮化硅薄膜材料。通过Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱检测样品中各键的键合结构演变,发现Si-N键和N-H键随着氨气流量改变向高波数方向移动,说明逐渐形成氮化硅薄膜。通过紫外-可见光透射光谱测量薄膜材料的透射光谱,计算得出薄膜相应的带隙宽度以及带尾能量,发现氨气流量的增加,光学带隙明显展宽,确定形成的薄膜为富硅氮化硅薄膜。

• 出版日期2016
• 单位内蒙古师范大学