<正> 一、概述硅单晶电阻率是半导体材料重要特性之一,对它的测试是采用精度高的四探针方法,其基本原理为在硅片表面上垂直压上四根金属针,若外面两根探针1、4通过恒流,那么2、3探针间便形成电位差,把所测得的电压值与流过1、4探针的电流值加上硅样片几何尺寸修正系数通过计算,从而求出在硅样片被测点的电阻率值(Ω·cm) 由于半导体材料物理性质,用四探针测
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