Ni/Au、Pd/Au与p-AlGaN材料的接触特性

作者：白云; 麻芃; 朱杰; 刘键; 刘新宇

来源：功能材料与器件学报, 2010, (01): 77-80.

• p-AlGaN
• 高Al组分
• 欧姆接触 p-AlGaN
• high Al contents
• ohmic contacts

在AlGaNpin型日盲紫外探测器结构中的p-AlGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600～850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质。实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能。为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化。实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析。

• 出版日期2010
• 单位中国科学院微电子研究所