电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO_2薄膜

作者：金波李炜郑志宏王曦

来源：功能材料与器件学报, 2004, (01): 24-28.

• CeO_2
• 高取向
• 退火
• 电子束蒸发 CeO_2
• highly orientated
• annealing

为了得到CeO2为埋层的新型SOI(SiliconOnInsulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础。同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨。由于CeO2(111)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜。

• 出版日期2004
• 单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所