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摘要
本发明公开了一种增强型HEMT器件及其制备方法和应用,该增强型HEMT器件利用本征栅极GaN盖帽层与AlGaN背势垒层的极化效应通式对栅金属电极下方的沟道中的2DEG进行调制,由于GaN材料与AlInN材料以及AlGaN材料的极化效应差,会在本征栅极GaN盖帽层与AlInN势垒层界面、GaN沟道层与AlGaN背势垒层界面处产生负的净极化电荷,从而抬高AlInN势垒层与GaN沟道层的能带,抬高了导带底与费米能级之间的距离,进而耗尽沟道中的2DEG,实现增强型器件。
- 出版日期2023-4-3
- 单位华南理工大学
