科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
用扫描电镜和分析电镜研究了碳酸钠对SiC的高温腐蚀,实验表明腐蚀反应首先发生在晶界上的石墨夹杂处。腐蚀的主要结构特徵是针孔腐蚀,针孔一般位于被反应消耗的颗粒及晶界处。电子显微镜研究发现,腐蚀产物除玻璃态硅酸钠外,还有结晶型硅酸钠、二氧化硅及少量的一氧化硅。从实验结果分析了碳酸钠对SiC腐蚀的反应过程。文章还介绍了带有脆性玻璃质为主的腐蚀产物的SiC的电子显微镜试样制备方法。
- 出版日期1992
- 单位中国科学院上海硅酸盐研究所
用扫描电镜和分析电镜研究了碳酸钠对SiC的高温腐蚀,实验表明腐蚀反应首先发生在晶界上的石墨夹杂处。腐蚀的主要结构特徵是针孔腐蚀,针孔一般位于被反应消耗的颗粒及晶界处。电子显微镜研究发现,腐蚀产物除玻璃态硅酸钠外,还有结晶型硅酸钠、二氧化硅及少量的一氧化硅。从实验结果分析了碳酸钠对SiC腐蚀的反应过程。文章还介绍了带有脆性玻璃质为主的腐蚀产物的SiC的电子显微镜试样制备方法。
