碳化硅陶瓷密封材料上沉积复合金刚石薄膜

作者：张玮; 满卫东; 林晓棋; 吕继磊; 阳硕; 赵彦君

来源：人工晶体学报, 2015, 44(04): 993-997.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.04.030

• 碳化硅
• 金刚石薄膜
• 等离子体化学气相沉积
• 摩擦系数

利用直流辉光等离子体化学气相沉积(DC-GD CVD)设备在碳化硅(SiC)密封材料上沉积复合金刚石薄膜(ICD)。实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜(MCD),然后再沉积一层纳米金刚石薄膜(NCD)形成复合金刚石薄膜(ICD)。通过场发射扫面电镜和拉曼测试,研究了MCD、NCD和ICD薄膜的表面形貌和材料结构。各种金刚石薄膜利用轮廓仪、划痕测试和摩擦磨损测试其力学性能。结果显示ICD薄膜既有较强的结合力,其摩擦系数也较低。ICD薄膜涂层的SiC密封环的摩擦系数为0.080.1。

• 出版日期2015
• 单位中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 武汉工程大学