Si中离子注入S杂质引起的深能级研究

作者：高利朋; 韩培德; 毛雪; 范玉杰; 胡少旭

来源：人工晶体学报, 2012, S1: 372-375.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2012.s1.001

• 深能级
• 离子注入
• 深能级瞬态谱 deep levels
• implantation
• DLTS
• sulfur

本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采用离子注入工艺在Si中引入了大量缺陷深能级。

• 出版日期2012
• 单位中国科学院半导体研究所