低功耗CMOS带隙基准源

作者：赵玉迎; 厚娇; 常金; 姜久兴; 赵波

来源：电子世界, 2015, (23): 27-30.

• 带隙基准
• 低功耗
• 亚阈值区 bandgap reference
• low power
• subthreshold

本文采用了CSMC 0.18um的标准CMOS工艺,设计了一种工作在亚阈值区的低功耗CMOS带隙基准源,本设计电路是由纯MOS管组成,不包含双极型晶体管,采用工作在线性区的MOS管代替电阻,减少了芯片的面积,工作在亚阈区的MOS管也使得系统的功耗有所降低。室温下,整个电路系统的电流(包含启动电路)为433.08n A,功耗为649.6n W,版图面积为0.0048mm2,工艺流程与标准CMOS工艺有很好的兼容性。

• 出版日期2015-12-8
• 单位哈尔滨理工大学