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An analytical model of Drain Induced barrier lowering effect for SiC MESFETs
作者:Cao Quanjun; Zhang Yimen; Zhang Yuming
来源:
International Workshop on Junction Technology
, 2008-05-15 to 2008-05-16.
4H Silicon Carbide
Metal Semiconductor Field Effect Transistor
drain induced barrier lowering effect
short channel
出版日期
2008
单位
西安电子科技大学
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