Ag-N共掺p型ZnO的第一性原理研究

作者：李万俊; 方亮; 秦国平; 阮海波; 孔春阳; 郑继; 卞萍; 徐庆; 吴芳

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (16): 399-406.

• p型ZnO
• 缺陷形成能
• 受主离化能
• 第一性原理 p-type ZnO
• defect formation energy
• acceptor ionization energy
• first principles

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag-N共掺杂ZnO体系以及间隙N和间隙H掺杂p型ZnO:(Ag,N)体系的缺陷形成能和离化能进行了研究.结果表明,在AgZn和NO所形成的众多受主复合体中,AgZn-NO受主对不仅具有较低的缺陷形成能同时其离化能也相对较小,因此,AgZn-NO受主对的形成是Ag-N共掺ZnO体系实现p型导电的主要原因.研究发现,当ZnO:(Ag,N)体系有额外间隙N原子存在时,AgZn-NO受主对容易与Ni形成AgZn-(N2)O施主型缺陷,该施主缺陷的形成降低了Ag-N共掺ZnO的掺杂效率因而不利于p型导电.当间隙H引入到ZnO:(Ag,N)体系时,Hi易与AgZn...

• 出版日期2013
• 单位重庆师范大学; 重庆大学; 重庆文理学院