SOI材料上硅薄膜电池的研究

作者：吴虎才; 许颖; 王文静; 励旭东; 叶小琴; 周宏余

来源：太阳能学报, 2004, (02): 133-137.

• SOI
• 化学汽相沉积
• 薄膜
• 电池转换效率 solar cell
• efficiency
• series resistance
• plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(SiliconOnInsulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的SiN,薄膜电池的电极全部由正面引出,制成的23μm厚薄膜电池的光电转换效率为8 12%(1×1cm2,AM1 5,23℃)。扩展电阻的测量表明电池有良好的PN结特性;量子效率测量表明SiN比常规的热氧化SiO2有更好的减反射和钝化作用;电池的暗特性表明电池具有较高的串联电阻,并分析了正面引电极对串联电阻的影响。

• 出版日期2004
• 单位北京市太阳能研究所集团有限公司; 北京师范大学