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Analysis of quantum conductance, read disturb and switching statistics in HfO2 RRAM using conductive AFM

作者：Ranjan A; Raghavan N; Molina J; O' Shea S J; Shubhakar K; Pey K L
来源：Microelectronics Reliability, 2016, 64: 172-178.
DOI：10.1016/j.microrel.2016.07.112
  • 出版日期2016-9

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更新时间：2024-04-04 08:10