电荷俘获存储器中俘获层的研究进展

作者：李德君; 刘明; 龙世兵; 王琴; 张满红; 刘璟; 杨仕谦; 王永; 杨潇楠; 陈军宁; 代月花

来源：微纳电子技术, 2009, (09): 518-524+539.

• 高k材料
• 非挥发性存储器(NVM)
• 电荷俘获存储器
• 俘获层
• 隧穿层 high-k material
• nonvolatile memory(NVM)
• charge trapping memory
• trapping layer
• tunneling layer

随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。

• 出版日期2009
• 单位安徽大学; 中国科学院微电子研究所