GaN HEMT源漏通道区电阻模型的参数提取方法、装置及介质

作者：姚若河; 姚永康; 耿魁伟; 刘玉荣; 朱映彬

来源：2023-06-25, 中国, CN202310758441.7.

本发明公开了一种GaN HEMT源漏通道区电阻模型的参数提取方法、装置及介质,属于功率器件技术领域。其中方法包括：对GaN HEMT源漏通道区电阻模型参数进行分块,获得需要提取的拟合参数；其中所述拟合参数包括c-1、c-2、λ和γ；根据器件已知的结构参数,计算得到低偏置条件下的源漏通道区电阻R-(D0,S0)；对GaN HEMT做静态I-V测试,并通过静态I-(DS)-V-(DS)输出特性曲线提取得到拟合参数c-1和c-2；通过源漏通道区电子漂移速度v-(acc)-V-(DS)曲线提取得到拟合参数λ和γ。本发明可以快速准确地完成GaN HEMT源漏通道区电阻模型相关拟合参数的提取,提高GaN HEMT源漏通道区电阻建模效率。

• 出版日期2023-6-25
• 单位华南理工大学