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摘要
通过模拟单色X射线源下硅材料光栅泰伯自成像,研究振幅为均匀和高斯分布、光源尺寸与横向相干长度比值不同的单色扩展光源与金材料源光栅相结合的成像系统中光栅泰伯效应自成像条纹可见度的影响因素。计算结果表明,基于光栅的X射线相衬成像系统中光栅泰伯自成像条纹可见度主要受成像距离和光源横向相干长度影响,受单色扩展光源的振幅分布和尺寸影响很小。
- 出版日期2016
- 单位中国工程物理研究院流体物理研究所
通过模拟单色X射线源下硅材料光栅泰伯自成像,研究振幅为均匀和高斯分布、光源尺寸与横向相干长度比值不同的单色扩展光源与金材料源光栅相结合的成像系统中光栅泰伯效应自成像条纹可见度的影响因素。计算结果表明,基于光栅的X射线相衬成像系统中光栅泰伯自成像条纹可见度主要受成像距离和光源横向相干长度影响,受单色扩展光源的振幅分布和尺寸影响很小。
