摘要

本文采用缓慢冷却方法制备了磁性拓扑材料Mn1-xFexAl Ge系列单晶样品,并系统研究了Fe掺杂对体系的结构、磁性以及反常霍尔效应的影响.随着Fe含量的增加,体系的晶胞收缩,磁性逐渐降低.在Mn Al Ge中观测到高达~800Ω-1cm-1的反常霍尔电导率(AHC),并且随着Fe含量增加,体系的AHC逐渐降低.采用对数和TYJ模型对体系AHC的内外禀贡献进行定性和定量分离,其结果显示所有样品中内外禀机制对总的AHC贡献相当,并且两者均随着Fe含量的增加而降低.