摘要

采用密度泛函理论(density functional theory)和Gaussian03程序包研究AlN MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)的生长模式,得到与实验观察相一致的计算结果,给出AlN MOCVD在衬底上生长出单层薄膜后,然后进行的是岛状生长而不是层状生长的理论解释.