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一类含3, 4-二氰基噻吩的p-型共轭聚合物及其制备方法与应用

段春晖; 张拨; 曹镛
华南理工大学
华南理工大学

摘要

本发明公开了一类含3, 4‑二氰基噻吩的p‑型共轭聚合物及其制备方法与应用。所述方法包括:将含3, 4‑二氰基噻吩的噻吩单元单体、含共轭单元Ar1的单体及含共轭单元Ar2的单体混合,然后在催化剂的催化下进行聚合反应,纯化得到所述含3, 4‑二氰基噻吩的p‑型共轭聚合物。本发明提供的聚合物合成简单,氰基的引入能够调控分子的能级,具有较低的分子轨道能级和较宽的光学带隙,与n‑型有机半导体材料可以实现较好的光学吸收互补;相较于无氰基取代的共轭聚合物,含3, 4‑二氰基噻吩的共轭聚合物具有较大的偶极矩和较高的介电常数,有利于降低激子结合能,促进电子和空穴的分离,实现高性能有机太阳电池的制备。

关键词

-

出版信息

专利状态
授权
专利国别
CHINA
专利有效期
2019-5-31 ~ 2039-5-31
专利号
ZL201910472899.X
公开号
CN110156964B

学科领域

化学工程与技术化学

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