等离子浸没离子注入陡脉冲前后沿效应及控制技术

作者：朱宗涛; 桂刚; 汪志键; 巩春志; 杨士勤; 田修波

来源：核技术, 2010, (12): 923-927.

• 等离子体离子注入
• 高压脉冲电源
• 陡脉冲
• 注入均匀性 Plasma ion implantation
• High voltage pulse power supply
• Steep pulse
• Ion implantation uniformity

等离子浸没离子注入过程中,由于电路和负载的容性效应,使高压脉冲电源的输出电压前后沿较长,而高压脉冲的前后沿对离子能量的均匀性、注入深度及剂量分布都有很大影响。本文用硬管调制技术研制最高输出电压40 kV的脉冲电源,并通过一维PIC仿真方法,研究了脉冲后沿对注入离子能量的影响,并从理论上计算不同工艺参数下电源输出电能的利用率。对于前沿,当高压电子管一栅电压为200 V时,获得1μs的高压脉冲前沿时间。对于后沿,用多个IGBT开关串联释放高压脉冲关断后负载上存储的剩余电荷,获得较小的回复时间,实现了对高压脉冲拖尾时间控制。通过PSPICE仿真优化了脉冲后沿控制电路的驱动延迟时间和IGBT吸收电路的...

• 出版日期2010
• 单位哈尔滨工业大学