Al组分对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器峰值响应波长的修饰

作者：胡小英; 刘卫国; 周顺; 陈智利

来源：光电子-激光, 2013, (04): 649-654.

DOI：10.16136/j.joel.2013.04.008

• 量子阱红外探测器(QWIP)
• MOCVD
• Al组分
• 峰值响应波长 quantum well infrared photodetector(QWIP)
• metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)
• Al content
• peak wavelength

为了确定量子阱红外探测器(QWIP)峰值响应波长与势垒中Al组分的关系,建立微观结构表征与宏观特性的关系,设计不同组分含量的实验样品,对样品进行相应的测试,分析探讨了Al组分与理论峰值波长的关系。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料,分别制备出势垒中Al组分为0.23、0.32的1#、2#样品。用傅里叶光谱仪分别对其进行77K液氮温度下响应光谱测试及室温光致荧光(PL)测试。响应光谱结果显示,1#、2#样品峰值响应波长分别为8.36、7.58μm,与由薛定谔方程计算得到的峰值波长9.672、7.928μm的误差分别为15.6%、4.6%。利用高分...

• 出版日期2013
• 单位西安电子科技大学; 西安工业大学