纳米AgSnO2/Bi2O3触头材料的性能及导电机理研究

作者:赵彩甜; 王景芹; 蔡亚楠; 王海涛
来源:人工晶体学报, 2017, 46(12): 2432-2437.
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2017.12.023

摘要

添加少量第三种元素的AgSnO2触头材料的电性能研究均处在试验阶段而未深入到理论研究阶段。本文采用溶胶-凝胶法制备纳米级AgSnO2/Bi2O3触头材料,材料的密度为9.73 g/cm3、硬度为105.35HV、电导率为70.22%IACS,并且接触电阻较小。在掺杂Bi元素提高触头材料性能的基础上,进行导电机理的研究。从微观原子角度采用第一性原理的计算方法,计算了Bi掺杂SnO2的电子结构、能带图、态密度及电荷密度分布。结果表明,Bi掺杂后带隙减小,电子跃迁容易,同时费米面附近载流子浓度增大,增强了材料的导电性。最终得出添加少量Bi元素能够使得AgSnO2触头材料的导电性增强的机理。

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