Al_2O_3掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能与I-U非线性特征

作者：王亚娟; 曹蕾; 荆慧霞; 杨敬娜; 张瑜; 吴怡; 刘鹏

来源：陕西师范大学学报(自然科学版), 2011, (04): 34-38.

DOI：10.15983/j.cnki.jsnu.2011.04.002

• 压敏电压
• I-U非线性特征
• 巨介电常数 breakdown voltage
• I-U behavior
• Giant dielectric constant

采用固相反应法,制备了一系列(1-x)CaCu3Ti4O12-xAl2O3(x=0,0.15,0.30,0.40)复相陶瓷.结果表明:Al2O3掺杂使CaCu3Ti4O12基陶瓷在降低低频范围内的介电损耗之外,同时使压敏电压大幅度的提高.当Al2O3的含量为0.30时的样品具有良好的综合电学性能:rε=2 000,tanδ=0.04(1 kHz),压敏电压Eb=1 084 V/mm且非线性系数α=4.6.

• 出版日期2011
• 单位陕西师范大学