AlN微晶棒的的制备及光致发光性能研究

作者：沈龙海; 张轩硕

来源：发光学报, 2016, (08): 927-931.

• AlN微晶棒
• 直接氮化法
• 光致发光
• 缺陷发光 AlN microrods
• direct nitridation method
• photoluminescence
• defect luminescence

采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明:所制备的Al N微晶棒长度约为30μm,直径约为10μm。在AlN微晶棒的PL谱中,有两个主要发光峰,中心在430 nm的发射源于VN和(V_(Al)-O_N)~(2-)构成的深施主-深受主对缺陷发光,中心在650 nm的发射源于VAl形成的深受主能级到价带的缺陷发光。在激发波长由270 nm逐渐增大到300 nm的过程中发现,Al N微晶棒波长在430 nm处的发光峰先增强后减...

• 出版日期2016
• 单位沈阳理工大学