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n-Si-Organic Inversion Layer Interfaces: A Low Temperature Deposition Method for Forming a p-n Homojunction in n-Si
作者:Erickson Ann S; Zohar Arava; Cahen David
*
来源:
Advanced Energy Materials
, 2014, 4(9): 1301724.
DOI:10.1002/aenm.201301724
出版日期
2014-6
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