钠离子掺杂对锰氧化物多孔微球电容特性的影响

作者:彭健成; 王桂玲; 李倩男; 陈俊明; 丁志杰; 郭雨; 郭腾; 周永生; 陈君华
来源:硅酸盐通报, 2017, 36(11): 3745-3749.
DOI:10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2017.11.028

摘要

采用水热法制备了锰氧化物多孔微球,并以掺杂钠离子的方式对其性能进行了改性。XRD分析揭示掺杂钠离子前后的样品的结构没有发生大的改变,均为水钠锰矿结构,只是(001)峰向低角度偏移,说明掺杂材料的层间距有所增大。SEM分析显示掺杂钠离子的样品形貌没有明显变化。恒电流充放电测试实验证实掺杂10%钠离子的锰氧化物的电化学性能最好,在1 A·g-1的电流密度下,放电比容量达到305.4 F·g-1,300圈循环后容量保持率为100%,表明钠离子预嵌入能够有效提高锰氧化物材料的电化学性能。

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