射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga_2O_3薄膜的光学特性(英文)

作者：闫金良; 张易军; 李清山; 曲崇; 张丽英; 李厅

来源：光子学报, 2011, (06): 852-856.

• 射频磁控溅射
• 透明导电氧化物
• 光学带隙
• 退火
• N掺杂β-Ga2O3 RF magnetron sputtering
• Transparent conductive oxide
• Optical band gap
• Post-annealed
• N-doped β-Ga2O3

在不同氨分压比(0~30%)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.

• 出版日期2011
• 单位鲁东大学