适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真(英文)

作者：肖德元; 谢志峰; 季明华; 王曦; 俞跃辉

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (03): 447-457.

• 亚10nm器件
• 圆柱体全包围栅场效应管
• 器件物理
• 器件工艺仿真 gate-all-around cylindrical transistor
• device physics
• TCAD simulation
• fabrication procedure

提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管.报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,该器件特别适用于解决常规鳍形场效应管器件所面临的问题,进一步提高器件性能及按比例缩小能力.技术仿真结果显示,圆柱体全包围栅场效应管具备许多常规鳍形场效应管器件,其中包括长方体全包围栅场效应管所不具备的优点.就圆柱体全包围栅场效应管器件结构而言,该器件由无数多个将圆柱体形沟道全部包围的栅所控制.由于克服了由不对称场的积聚,如锐角效应所导致的漏电,器件沟道的电完整性得到很大改善.详细讨论了器件制作工艺流程,提...

• 出版日期2008
• 单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所