摘要

提出了一种适用于闪存的高速灵敏放大器。该灵敏放大器删除了位线嵌位电路,直接使用1.2 V电源供电的预充电路预充选定单元的位线到1.2 V电压级,与传统的通过位线嵌位电路嵌位的位线电压(0.50.8 V)相比,不仅节省了位线电压的稳定时间,而且增强了读取单元的电流窗口,进而减少感应延迟。在位线多路选择器中使用低压p沟道型晶体管,避免了列译码器中电压级移位器的使用,结果增强了位线有效预充时间。采用90 nm闪存工艺设计,提出的灵敏放大器在2.5 V电源电压时的读取时间是11.2 ns,相对于传统的结构,单个灵敏放大器的读取速度被优化了约20%。

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