登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
Determination of Surface Donor States Properties and Modeling of InAlN/AlN/GaN Heterostructures
作者：Goyal Nitin; Fjeldly Tor A
来源：
IEEE Transactions on Electron Devices
, 2016, 63(2): 881-885.
DOI：10.1109/TED.2015.2510427
出版日期
2016-2
全文
全文
访问全文
相似论文
引用论文
参考文献
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
