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摘要
本实用新型公开了一种源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件,所述器件包括从下到上依次分布的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层,势垒层的上表面的两端连接源极和漏极,源极和漏极之间的势垒层上表面上分布一层绝缘层,绝缘层的上表面连接栅极,源极和漏极与沟道层分别形成欧姆接触,源极和漏极的高度相等,且高于栅极的高度。源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件克服现有制备工艺需要分两步制备源漏极和栅极的缺点,不存在传统光刻技术的光衍射效应,可快速地制造出尺寸精度高的微纳图案。而且源极、漏极和栅极同步制备无需对准和二次光刻步骤,可实现非常精确的尺寸控制,器件的线宽可低至50 nm,操作步骤简单,适用于工业生产。
- 出版日期2019-7-19
- 单位华南理工大学
