调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究

作者：舒强; 舒永春; 张冠杰; 刘如彬; 姚江宏; 皮彪; 邢晓东; 林耀望; 许京军; 王占国

来源：Acta Physica Sinica, 2006, (03): 1379-1383.

• 二维电子气
• 量子霍尔效应
• SdH振荡
• 持久光电导效应 two-dimensional electron gas
• quantum Hall effect
• SdH oscillations
• persistent photoconductivity

在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理论分析.

• 出版日期2006
• 单位南开大学