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Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures
作者：Slapovskiy D N; Pavlov A Yu; Pavlov V Yu; Klekovkin A V
来源：
Semiconductors
, 2017, 51(4): 438-443.
DOI：10.1134/S1063782617040194
出版日期
2017-4
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