单晶黑硅结构的制备及其陷光性能

作者：任格格; 丁红旗

来源：电子元件与材料, 2018, 37(05): 40-46.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.05.007

• 太阳能
• 单晶硅
• 催化
• 刻蚀
• 纳米结构
• 表面反射率

黑硅结构具有优异的陷光性能,能够有效减少太阳能电池片表面的光学损耗,是目前光伏产业的重点研究项目。本文采用Ag/Cu双原子两步金属辅助化学刻蚀(MACE)工艺,通过调节Ag/Cu摩尔比、刻蚀温度、刻蚀时间以及H2O2的浓度制备出了高效的单晶黑硅陷光结构,并系统研究了黑硅结构的形成机理及其对硅片表面反射率的影响规律。利用场发射扫描电镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计测试了样品表面的漫反射光谱。结果表明,当Ag/Cu摩尔比为1/10,刻蚀温度为60℃,刻蚀时间为30 s,H2O2的浓度为0.6 mol/L时,制备得到了均匀分布、密集排列的纳米柱结构,刻蚀深度约为2.09μm,刻蚀孔径为5580 nm,表面的平均反射率仅为1.45%(2001100 nm)。降低了Ag NO3的用量,节约了生成成本,又获得了陷光性能优异的黑硅结构。

• 出版日期2018
• 单位辽宁工程技术大学