内透明集电极IGBT开关特性及短路特性仿真研究

作者：张惠惠; 胡冬青; 周新田; 周东海; 穆辛; 查祎英

来源：智能电网, 2013, (02): 27-30.

DOI：10.14171/j.2095-5944.sg.2013.02.003

• 内透明集电极绝缘栅双极型晶体管
• 开关特性
• 短路特性
• 仿真研究 internal transparent collector-insulated gate bipolar transistor(ITC-IGBT)
• switching characteristics
• short-circuit performance
• simulation

针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命参数对ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性的影响。通过优化折中器件的缓冲层掺杂浓度、局域寿命控制区寿命参数和局域寿命控制区位置的关系,在器件特性满足要求的同时,改善器件的抗短路能力。文章最后给出一种可供参考的具有良好抗短路能力的IGBT器件设计方法,确定了缓冲层浓度的最低值和局域载流子寿命最大值,...

• 出版日期2013
• 单位北京工业大学