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摘要
采用电阻加热Czochralski法和一控双变技术,在最佳工艺参数(转速:6 r/min～8 r/min;拉速:1 mm/h～2 mm/h;循环水温度:28℃±1℃;降温速率:8℃/h～10℃/h;轴向温度梯度:1℃/mm～2℃/mm)条件下,生长出了Φ96 mm×30 mm的KBr晶体.分析了晶体的潮解机理,采用饱和溶液对KBr晶体进行抛光,分析抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量和抛光时间对晶体表面去除率和粗糙度的影响,得到最佳的抛光参数:最佳压力为0.104 2 MPa、抛光液流量为15 m L/min、抛光盘转速为30r/min和抛光时间为20 min.对抛光后的晶体元件透过性能测试表明,厚度为4 mm晶体的透过率为90.2%,在透过波段存在一定吸收.
