NPB层嵌入MgF_2超薄层对OLED性能的影响

作者：孟维欣; 郝玉英; 张志强; 王华; 许并社

来源：光电子-激光, 2010, (05): 652-654.

DOI：10.16136/j.joel.2010.05.013

• 有机电致发光器件(OLED)
• MgF_2超薄层
• 启亮电压
• 发光效率 organic electroluminescent devices(OLEDs)
• ultrathin film MgF2
• turn on voltage
• luminous efficiency

将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率。MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未嵌入MgF2器件降低2V;MgF2厚度为1.0nm的器件最大电流效率达到3.93cd/A,最大光功率效率达到1.58lm/W,较未嵌入MgF2器件分别提高95%和110%。

• 出版日期2010
• 单位太原理工大学