不同沉积气压制备微晶硅薄膜的表面粗糙度标度行为研究

作者：丁艳丽; 乔红贞; 谷锦华

来源：商丘师范学院学报, 2011, (12): 32-35.

• 微晶硅薄膜
• 表面粗糙度
• 椭圆偏振光谱
• 生长指数 microcrystalline Si thin film
• surface roughness
• spectroscopic ellipsometry
• the growth exponent

采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明:沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明:在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素(如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大).

• 出版日期2011
• 单位商丘师范学院; 郑州大学