飞秒脉冲激光辐照对硅发光性能的影响

作者：朱敏; 李晓红; 李国强; 常利阳; 谢长鑫; 邱荣; 李家文; 黄文浩

来源：Acta Physica Sinica, 2014, (05): 389-396.

• 飞秒脉冲激光
• 单晶硅
• 光致发光
• 氧缺陷SiOx femtosecond pulsed laser
• monocrystalline silicon
• Photoluminescence
• oxygen defects SiOx

利用飞秒脉冲激光对单晶硅进行辐照,研究了在不同环境(纯水和空气)和能量密度条件下激光刻蚀过后硅片的光致荧光特性.对于辐照后的硅片,利用了场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、光致荧光光谱仪(PL)进行表征.结果显示:在空气中样品表面形成了条纹状微结构,纯水中硅片表面生成了尺寸更小的珊瑚状微结构;激光刻蚀后在硅片表面的生成物主要是SiOx(x<2),在纯水中处理后硅片氧元素的含量接近是空气中的4倍;傅里叶变换红外透射谱中主要为Si—Si键(610 cm-1)和Si—O—Si键(1105 cm-1)的振动;在空气和纯水中激发出的荧光均为蓝光(420—...

• 出版日期2014
• 单位西南科技大学; 中国科学技术大学; 中国工程物理研究院激光聚变研究中心