等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs,n-GaP电极

作者：许颂临; 庄启星; 吴丽云; 伍振尧

来源：Acta Physico - Chimica Sinica, 1987, (06): 648-652.

• 半导体电极
• 等离子体聚合
• n-GaAs
• n-GaP
• 超薄膜
• 光腐蚀
• 半导体光电
• 高度交联
• 催化功能
• 聚合物薄膜
• 导电聚合物

<正> 用导电聚合物修饰光电化学体系中的半导体电极,对于抑制电极的光腐蚀、改善电极特性及赋予其催化功能有明显的效果.在制备聚合物薄膜的几种方法中,等离子体聚合可得到高度交联、均匀、化学稳定性好的超薄膜,且成膜工序简单,已引起重视并取得初步应用。等离子体聚合法修饰导体电极国内外均有报道,但在修饰半导体电极方面的研究甚少。本文探讨了用这种方法在n-GaAs、n-GaP电极上制备聚丙烯腈(PAN)薄膜,并进行

• 出版日期1987
• 单位福建海洋研究所; 厦门大学