AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

作者：盖红星; 李建军; 韩军; 邢艳辉; 邓军; 俞波; 沈光地; 陈建新

来源：量子电子学报, 2005, (01): 85-89.

• 光电子学
• 应变量子阱
• 光增益
• AlInGaAs
• 半导体激光器

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益。进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势。

• 出版日期2005-2-28
• 单位北京工业大学