射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响

作者：娄建忠; 李钗; 张二鹏; 马蕾; 江子荣; 王峰; 闫小兵

来源：功能材料, 2012, (23): 3329-3332.

• RF-PECVD
• nc-Si∶H薄膜
• 结构特征
• 光学特性 RF-PECVD
• nc-Si∶H thin films
• structural properties
• optical properties

利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜。其中衬底温度为250℃,H2稀释比为99%,反应压强为133Pa和射频功率为20～60W。采用α-台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)和紫外-可见光分光光度计等对薄膜的结构特征和光学特性进行了测试研究。结果表明,随着射频功率的增大,nc-Si∶H薄膜的沉积速率增加,晶化率提高,晶粒尺寸增大和氢含量减小,同时薄膜的吸收系数增强,光学带隙变窄,结构有序性增强和带尾态宽度减小。

• 出版日期2012
• 单位河北大学