采用脉冲放电的方式,获得低输入能条件下半导体桥等离子体的光电信号,实验研究了放电电压为18V、充电电容为47μF和放电电压为57V、充电电容为4.7μF的两种输入能相同的发火条件下半导体桥等离子体放电特性。结果表明,低输入能量条件下,小电容大电压容易完成桥膜物理形态的转变,等离子体后期放电开始的时间早,且持续时间长,但是由于消耗在桥上的能量比较多,得到的等离子体温度并不高。
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