ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模

作者：刘瑶; 姚若河; 高英俊

来源：微电子学, 2008, (05): 647-651.

• ESD保护器件
• GGNMOS
• 数值建模
• 大电流效应 ESD protection device
• GGNMOS
• Numerical modeling
• High current effect

基于ESD应力下GGNMOS的工作特性,从GGNMOS的内部物理过程,推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型,并给出了相应的参数提取方法;实现了输入工艺参数等到模型中,即可仿真GGNMOS二次击穿前的I-V特性。通过与TLP实际测试结果的比较,证实了所推导模型的可行性。

• 出版日期2008
• 单位华南理工大学; 广西大学