AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用

作者：张启明; 张保国; 孙强; 方亮; 王赫; 杨盛华; 张礼; 罗超

来源：半导体技术, 2018, 43(07): 481-522.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.001

• AlGaInP
• 氧污染
• 金属有机气相外延(MOVPE)
• 多结太阳电池
• 晶格失配
• 半导体直接键合

AlGaInP材料在III-V族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一。然而,在其金属有机气相外延(MOVPE)生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素。探讨了影响AlGaInP材料带隙的几种工艺参数,包括Al含量、衬底偏角和生长温度。讨论了通过优化材料外延生长工艺和改进太阳电池结构,获得高质量AlGaInP子电池的几种技术途径,包括提高生长温度、生长速率和磷烷体积流量,以及采用Se作为发射区的n型掺杂剂和GaInP/AlGaInP异质结构。介绍了近年来AlGaInP材料在高效多结太阳电池领域的研究进展,包括正向晶格失配太阳电池、反向晶格失配太阳电池和半导体直接键合太阳电池,并对其未来的发展趋势进行了展望。

• 出版日期2018
• 单位河北工业大学; 电子信息工程学院; 中国电子科技集团公司第十八研究所