物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化

作者：武智平; 潘淼; 庞爱锁; 李艳华; 陈朝

来源：半导体光电, 2011, (05): 668-671.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2011.05.018

• 物理冶金法
• 多晶硅
• 少子寿命
• 磷吸杂 physical metallurgy process
• multicrystalline silicon
• minority carrier lifetime
• P gettering

对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果,节省了太阳电池制备的时间和成本。

• 出版日期2011
• 单位厦门大学