采用对靶磁控溅射方法在p型晶体硅(c-Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c-Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=±2V时为1.3×103.在正向偏压下温度依赖的J-V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.
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