摘要

运用密度泛函(DFT)平面波赝势方法(PWP),计算了钠锰氧化物三种物相的状态方程及其电子结构.研究结果表明:利用状态方程得到的钠锰氧化物从尖晶石型结构的SP相转变为CF相和CT相的相变压强分别为4.94 Gpa和20.48 GPa,CF相与实验值误差仅为+0.44 Gpa.进一步对CT相钠锰氧化物的能带结构和态密度的分析表明钠锰氧化物CT相是一种带隙为2.15 eV的窄禁带半导体材料.靠近费米能级附近的Mn-3d电子轨道和O-2p电子轨道的强烈杂化决定了材料的电子性质.

  • 出版日期2012
  • 单位鞍山师范学院