电极间距对μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜结构特性的影响

作者：曹宇; 张建军; 严干贵; 倪牮; 李天微; 黄振华; 赵颖

来源：Acta Physica Sinica, 2014, (07): 285-290.

• 微晶硅锗
• 电极间距
• 滞留时间
• 射频等离子体增强化学气相沉积 microcrystalline silicon germanium
• electrode separation
• residence time
• radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜.研究了电极间距对μc-Si1-x Gex:H薄膜结构特性的影响.发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加.当电极间距降至7 mm时,μc-Si1-x Gex:H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向,同时具有较低的微结构因子.通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态,认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的.在较窄的电极间距(7 mm)下,等离子体中GeH3基团的比例较大,增强了Ge前驱物的扩散能力,使μc-Si1-...

• 出版日期2014
• 单位东北电力大学; 南开大学